BUK7C08-55AITE,118

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BUK7C08-55AITE,118
निर्माता / ब्रांड

Nexperia
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

BUK7C08-55AITE,118.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK
शृंखला

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

8 mOhm @ 50A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

272W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
दुसरे नाम

934057948118
BUK7C08-55AITE /T3
BUK7C08-55AITE /T3-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4200pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

116nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

Current Sensing
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V
विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 75A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount D2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

75A (Tc)

निम्नलिखित "BUK7C08-55AITE,118" संबंधित उत्पाद हैं।

BUK7C2R2-60EJ

विवरण: MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale

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