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PEMD4,115

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    PEMD4,115
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    150mV @ 500µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-666
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    -
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    300mW
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-563, SOT-666
  • दुसरे नाम
    1727-7360-1
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    13 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    -
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    1µA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    P*MD4
PEMD9,315

PEMD9,315

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PEMF21,115

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PEMD2,315

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PEMD18,115

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PEMD24,115

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PEMD48,115

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PEMH11,315

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