PHKD6N02LT,518

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PHKD6N02LT,518
निर्माता / ब्रांड

Nexperia
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

PHKD6N02LT,518.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.5V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SO
शृंखला

TrenchMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

20 mOhm @ 3A, 5V
पावर - मैक्स

4.17W
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
दुसरे नाम

934056831518
PHKD6N02LT /T3
PHKD6N02LT /T3-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

2 (1 Year)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

950pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15.3nC @ 5V
FET प्रकार

2 N-Channel (Dual)
FET फ़ीचर

Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10.9A

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PHKD13N03LT,118

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

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