PMDPB70EN,115

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMDPB70EN,115
निर्माता / ब्रांड

Nexperia
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

PMDPB70EN,115.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-HUSON-EP (2x2)
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

57 mOhm @ 3.5A, 10V
पावर - मैक्स

510mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

6-UDFN Exposed Pad
दुसरे नाम

568-10761-2
934066486115
PMDPB70EN,115-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

130pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4.5nC @ 10V
FET प्रकार

2 N-Channel (Dual)
FET फ़ीचर

Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.5A

निम्नलिखित "PMDPB70EN,115" संबंधित उत्पाद हैं।

PMDPB58UPE,115

विवरण: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

निर्माता: Nexperia

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