PMDXB950UPE

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMDXB950UPE
निर्माता / ब्रांड

Nexperia
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

PMDXB950UPE.pdf
ईसीएडी मॉडल
वोल्टेज - टेस्ट

43pF @ 10V
वोल्टेज - टूटने

6-DFN (1.1x1)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
शृंखला

TrenchFET®
RoHS स्थिति

Digi-Reel®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

500mA
पावर - मैक्स

265mW
ध्रुवीकरण

6-XFDFN Exposed Pad
दुसरे नाम

1727-1471-6
568-10942-6
568-10942-6-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
उत्पादक हिस्सा करमार्क

PMDXB950UPE
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2.1nC @ 4.5V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

950mV @ 250µA
FET फ़ीचर

2 P-Channel (Dual)
विस्तारित विवरण

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

Logic Level Gate
विवरण

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

20V

निम्नलिखित "PMDXB950UPE" संबंधित उत्पाद हैं।

PMDT290UNEYL

विवरण: PMDT290UNE/SOT666/SOT6

निर्माता: Nexperia

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