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PMV30UN2R

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    PMV30UN2R
  • निर्माता / ब्रांड
    Nexperia
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 20V SOT23
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    PMV30UN2R.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    900mV @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±12V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-236AB (SOT23)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    32 mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    490mW (Ta), 5W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • दुसरे नाम
    1727-2305-2
    568-12591-2
    568-12591-2-ND
    934068491215
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    20 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    655pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    11nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.2V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    20V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 490mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    4.2A (Ta)
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New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9
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PMV35EPER

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PMV250EPEAR

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PMV28UN,215

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PMV25ENEAR

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विवरण: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

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PMV30UN2VL

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विवरण: MOSFET P-CH 20V TO-236AB

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PMV37EN2R

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विवरण: MOSFET N-CH 30V SOT23

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
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