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PMV65XP/MIR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMV65XP/MIR
निर्माता / ब्रांड

Nexperia
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 20V SOT23
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

PMV65XP/MIR.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

900mV @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±12V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-236AB
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

480mW (Ta), 4.17W (Tc)
पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
दुसरे नाम

934068504215
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

744pF @ 20V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

7.7nC @ 4.5V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.8V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

P-Channel 20V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.8A (Ta)

निम्नलिखित "PMV65XP/MIR" संबंधित उत्पाद हैं।

PMV65UNER

विवरण: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB

निर्माता: Nexperia

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