PMZ130UNEYL

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMZ130UNEYL

निर्माता / ब्रांड

Nexperia

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 20V SOT883

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

PMZ130UNEYL.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

950mV @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±8V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DFN1006-3

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

150 mOhm @ 1.8A, 4.5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

SC-101, SOT-883

दुसरे नाम

1727-2316-1
568-12602-1
568-12602-1-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

8 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

93pF @ 10V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1.6nC @ 4.5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.5V, 4.5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V

विस्तृत विवरण

N-Channel 20V 1.8A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

1.8A (Ta)