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PSMNR90-30BL,118

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    PSMNR90-30BL,118
  • निर्माता / ब्रांड
    Nexperia
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    PSMNR90-30BL,118.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.2V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D2PAK
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    1 mOhm @ 25A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    306W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • दुसरे नाम
    1727-7110-2
    568-9480-2
    568-9480-2-ND
    934065173118
    PSMNR9030BL118
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    14850pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    243nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    120A (Tc)
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New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9
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