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227821RW1S0BA1R00JT छविOhmite

RW1S0BA1R00JT

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RW1S0BA1R00JT
  • निर्माता / ब्रांड
    Ohmite
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    RW1S0BA1R00JT.pdf
  • सहनशीलता
    ±5%
  • तापमान गुणांक
    ±50ppm/°C
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SMD J-Lead, Pedestal
  • आकार / आयाम
    0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm)
  • शृंखला
    RW
  • पैनल मोड
    1 Ohms
  • पावर (वाट)
    1W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    2512 J-Lead
  • दुसरे नाम
    RW1S0BA1R00JTR
    RW1S0BA1R00JTTR
    RW1S0BA1R00JTTR-ND
    RW1S0J1.00TR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C
  • समाप्ति की संख्या
    2
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    20 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ऊंचाई - बैठे (मैक्स)
    0.141" (3.58mm)
  • विशेषताएं
    Current Sense
  • विफलता दर
    -
  • विस्तृत विवरण
    1 Ohms ±5% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound
  • रचना
    Wirewound
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "RW1S0BA1R00JT" संबंधित उत्पाद हैं।
RW1S0BAR010FE

RW1S0BAR010FE

विवरण: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R

विवरण: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BA1R00JE

RW1S0BA1R00JE

विवरण: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

विवरण: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BAR005J

RW1S0BAR005J

विवरण: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BAR005JET

RW1S0BAR005JET

विवरण: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1E014SNT2R

RW1E014SNT2R

विवरण: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RW1C026ZPT2CR

RW1C026ZPT2CR

विवरण: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BAR010FET

RW1S0BAR010FET

विवरण: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1C015UNT2R

RW1C015UNT2R

विवरण: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BAR010JE

RW1S0BAR010JE

विवरण: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1E025RPT2CR

RW1E025RPT2CR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BAR005JE

RW1S0BAR005JE

विवरण: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

विवरण: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BA1R00JET

RW1S0BA1R00JET

विवरण: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
स्टॉक में
RFQ
RW1S0BAR010JET

RW1S0BAR010JET

विवरण: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
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RFQ
RW1S0BAR010FT

RW1S0BAR010FT

विवरण: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
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RFQ
RW1S0BA1R00J

RW1S0BA1R00J

विवरण: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
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RFQ
RW1S0BAR010F

RW1S0BAR010F

विवरण: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
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RW1S0BAR010J

RW1S0BAR010J

विवरण: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

निर्माता: Ohmite
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