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1047953SID1182KQ-TL छविPower Integrations

SID1182KQ-TL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SID1182KQ-TL
  • निर्माता / ब्रांड
    Power Integrations
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    SID1182KQ-TL.pdf
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.75 V ~ 5.25 V
  • वोल्टेज - अलगाव
    5000Vrms
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    -
  • प्रौद्योगिकी
    Magnetic Coupling
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    eSOP-R16B
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    150ns, 150ns
  • पल्स चौड़ाई विरूपण (मैक्स)
    -
  • प्रचार विलंब टीपीएलएच / टीपीएचएल (मैक्स)
    340ns, 330ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • दुसरे नाम
    1810-1100-2
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C
  • चैनलों की संख्या
    1
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    16 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    8A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
  • वर्तमान - पीक उत्पादन
    8A
  • वर्तमान - आउटपुट हाई, लो
    3.6A, 4A
  • आम मोड क्षणिक प्रतिरक्षा (न्यूनतम)
    50kV/µs (Typ)
  • स्वीकृति
    -
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "SID1182KQ-TL" संबंधित उत्पाद हैं।
SID1183K-TL

SID1183K-TL

विवरण: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1182KQ

SID1182KQ

विवरण: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1183K

SID1183K

विवरण: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1132KQ-TL

SID1132KQ-TL

विवरण: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1182K-TL

SID1182K-TL

विवरण: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1132K

SID1132K

विवरण: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1112K-TL

SID1112K-TL

विवरण: DGTL ISO GATE DRVR

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1182K

SID1182K

विवरण: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SID1152K-TL

SID1152K-TL

विवरण: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1132K-TL

SID1132K-TL

विवरण: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SIDC03D120H6X1SA3

SIDC03D120H6X1SA3

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SID1132KQ

SID1132KQ

विवरण: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SID1152K

SID1152K

विवरण: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

निर्माता: Power Integrations
स्टॉक में
RFQ
SIDC03D60C6X1SA2

SIDC03D60C6X1SA2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIDC03D60F6X1SA2

SIDC03D60F6X1SA2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

विवरण: DIODE GEN PURP WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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