2SJ673-AZ

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विशेष विवरण

भाग संख्या

2SJ673-AZ
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

2SJ673-AZ.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220 Isolated Tab
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

20 mOhm @ 18A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2W (Ta), 32W (Tc)
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3 Isolated Tab
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4600pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

87nC @ 10V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V
विस्तृत विवरण

P-Channel 60V 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

36A (Tc)

निम्नलिखित "2SJ673-AZ" संबंधित उत्पाद हैं।

2SJ652-RA11

विवरण: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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