2SK3431-AZ

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विशेष विवरण

भाग संख्या

2SK3431-AZ
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

2SK3431-AZ.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

5.6 mOhm @ 42A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.5W (Ta), 100W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

6100pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

110nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V
विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 83A (Tc) 1.5W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

83A (Tc)

निम्नलिखित "2SK3431-AZ" संबंधित उत्पाद हैं।

2SK3388(TE24L,Q)

विवरण: MOSFET N-CH 250V 20A SC-97

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage

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अग्रिम पंजीकरण

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