2SK4150TZ-E

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विशेष विवरण

भाग संख्या

2SK4150TZ-E
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

2SK4150TZ-E.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

±10V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

5.7 Ohm @ 200mA, 4V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

750mW (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

80pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

3.7nC @ 4V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 4V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

250V
विस्तृत विवरण

N-Channel 250V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

400mA (Ta)

निम्नलिखित "2SK4150TZ-E" संबंधित उत्पाद हैं।

2SK4196LS-1E

विवरण: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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