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3637260H5N2522LSTL-E छविRenesas Electronics America

H5N2522LSTL-E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    H5N2522LSTL-E
  • निर्माता / ब्रांड
    Renesas Electronics Corporation
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    H5N2522LSTL-E.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    -
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    4-LDPAK
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    180 mOhm @ 10A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    75W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SC-83
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1300pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    47nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    250V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 250V 20A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    20A (Ta)

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भुगतान
निम्नलिखित "H5N2522LSTL-E" संबंधित उत्पाद हैं।
STB150NF04

STB150NF04

विवरण: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
RFQ
TPCA8016-H(TE12LQM

TPCA8016-H(TE12LQM

विवरण: MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
FDD6796A

FDD6796A

विवरण: MOSFET NCH 25V 20A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

विवरण: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
BSS138PW,115

BSS138PW,115

विवरण: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
IPP023NE7N3G

IPP023NE7N3G

विवरण: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

विवरण: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
NDB7050

NDB7050

विवरण: MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
PHP54N06T,127

PHP54N06T,127

विवरण: MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale
स्टॉक में
RFQ
PSMN5R3-25MLDX

PSMN5R3-25MLDX

विवरण: PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
HUF75333S3

HUF75333S3

विवरण: MOSFET N-CH 55V 60A TO-262AA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SCH1337-TL-HX

SCH1337-TL-HX

विवरण: INTEGRATED CIRCUIT

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IRFL024NPBF

IRFL024NPBF

विवरण: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
PSMN1R5-40ES,127

PSMN1R5-40ES,127

विवरण: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
SI7392ADP-T1-E3

SI7392ADP-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IRF7416GTRPBF

IRF7416GTRPBF

विवरण: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
FCA35N60

FCA35N60

विवरण: MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
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