HAT2131R-EL-E

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विशेष विवरण

भाग संख्या

HAT2131R-EL-E
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 8SO
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

HAT2131R-EL-E.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SOP
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3 Ohm @ 450mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.5W (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

460pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

20nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

350V
विस्तृत विवरण

N-Channel 350V 900mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

900mA (Ta)

निम्नलिखित "HAT2131R-EL-E" संबंधित उत्पाद हैं।

HAT2088R-EL-E

विवरण: MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP

निर्माता: Renesas Electronics America

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