HS54095TZ-E

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विशेष विवरण

भाग संख्या

HS54095TZ-E
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

HS54095TZ-E.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92-3
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

16.5 Ohm @ 100mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

750mW (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 Short Body
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

66pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4.8nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V
विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 200mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

200mA (Ta)

निम्नलिखित "HS54095TZ-E" संबंधित उत्पाद हैं।

HS5230800000G

विवरण: 508 TB SP CLA PARALLEL/T

निर्माता: Anytek (Amphenol Anytek)

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