NP100P04PLG-E1-AY

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NP100P04PLG-E1-AY
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NP100P04PLG-E1-AY.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-263
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3.7 mOhm @ 50A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta), 200W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

NP100P04PLG-E1-AY-ND
NP100P04PLG-E1-AYTR
परिचालन तापमान

175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

15100pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

320nC @ 10V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V
विस्तृत विवरण

P-Channel 40V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

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NP1100SCT3G

विवरण: THYRISTOR 90V 100A SMB

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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