NP60N04MUG-S18-AY

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NP60N04MUG-S18-AY
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NP60N04MUG-S18-AY.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6.3 mOhm @ 30A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta), 88W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
परिचालन तापमान

175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3200pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

60nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V
विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 60A (Tc) 1.8W (Ta), 88W (Tc) Through Hole TO-220
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

60A (Tc)

निम्नलिखित "NP60N04MUG-S18-AY" संबंधित उत्पाद हैं।

PMN15UN,115

विवरण: MOSFET N-CH 30V 8A SC-74

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale

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