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NP75P04YLG-E1-AY

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NP75P04YLG-E1-AY
  • निर्माता / ब्रांड
    Renesas Electronics Corporation
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NP75P04YLG-E1-AY.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.5V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-HSON
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    9.7 mOhm @ 37.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1W (Ta), 138W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • दुसरे नाम
    NP75P04YLG-E1-AY-ND
    NP75P04YLG-E1-AYTR
  • परिचालन तापमान
    175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    4800pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    140nC @ 10V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    40V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 40V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount 8-HSON
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    75A (Tc)

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भुगतान
निम्नलिखित "NP75P04YLG-E1-AY" संबंधित उत्पाद हैं।
IPI80N06S2L11AKSA1

IPI80N06S2L11AKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
RFD16N05LSM9A

RFD16N05LSM9A

विवरण: MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFR3504ZTRR

IRFR3504ZTRR

विवरण: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IXTX90N25L2

IXTX90N25L2

विवरण: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
IRL3715ZPBF

IRL3715ZPBF

विवरण: MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SUD50N06-07L-E3

SUD50N06-07L-E3

विवरण: MOSFET N-CH 60V 96A TO252

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IPA50R950CEXKSA2

IPA50R950CEXKSA2

विवरण: MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
DKI06261

DKI06261

विवरण: MOSFET N-CH 60V 25A TO-252

निर्माता: Sanken Electric Co., Ltd.
स्टॉक में
RFQ
NVMFS5C604NLAFT1G

NVMFS5C604NLAFT1G

विवरण: T6 60V HEFET

निर्माता: ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
HUF76423D3

HUF76423D3

विवरण: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FDG327N

FDG327N

विवरण: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
NP74N04YUG-E1-AY

NP74N04YUG-E1-AY

विवरण: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
NP70N10KUF-E1-AY

NP70N10KUF-E1-AY

विवरण: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
NP75N04YUG-E1-AY

NP75N04YUG-E1-AY

विवरण: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
NP75P03YDG-E1-AY

NP75P03YDG-E1-AY

विवरण: MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
RFP4N100

RFP4N100

विवरण: MOSFET N-CH 1KV 4.3A TO-220AB

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

विवरण: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
IPA60R360P7XKSA1

IPA60R360P7XKSA1

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

विवरण: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
NP70N10KUF-E2-AY

NP70N10KUF-E2-AY

विवरण: TRANSISTOR

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RFQ
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