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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    R1LV0108ESF-5SI#B1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    55ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    32-TSOP (8x20)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Mb (128K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP (8x20)
  • अभिगम समय
    55ns
R1LV0108ESN-5SI#S0

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विवरण: IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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विवरण: IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

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विवरण: IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

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विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP

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