R1LV0816ASB-7SI#S0

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विशेष विवरण

भाग संख्या

R1LV0816ASB-7SI#S0
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

R1LV0816ASB-7SI#S0.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

70ns
वोल्टेज आपूर्ति

2.4 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

SRAM
प्रदायक डिवाइस पैकेज

44-TSOP II
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

8Mb (512K x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SRAM Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 70ns 44-TSOP II
आधार भाग संख्या

R1LV0816A
अभिगम समय

70ns

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R1LV1616RBG-7SI#S0

विवरण: IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA

निर्माता: Renesas Electronics America

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