R1LV3216RSD-7SI#B0

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विशेष विवरण

भाग संख्या

R1LV3216RSD-7SI#B0
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

R1LV3216RSD-7SI#B0.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

70ns
वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

SRAM
प्रदायक डिवाइस पैकेज

52-TSOP II
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

32Mb (4M x 8, 2M x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SRAM Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Parallel 70ns 52-TSOP II
आधार भाग संख्या

R1LV3216
अभिगम समय

70ns

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R1LV3216RSA-5SR#S0

विवरण: IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Renesas Electronics America

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अग्रिम पंजीकरण

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