R1RW0416DSB-2PI#B0

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विशेष विवरण

भाग संख्या

R1RW0416DSB-2PI#B0
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM IBIS ASYNC
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

R1RW0416DSB-2PI#B0.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

12ns
वोल्टेज आपूर्ति

3 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

SRAM
प्रदायक डिवाइस पैकेज

44-TSOP II
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

4Mb (256K x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II
अभिगम समय

12ns

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CY62256VLL-70ZXIT

विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

निर्माता: Cypress Semiconductor

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