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विशेष विवरण

भाग संख्या

RJK0346DPA-01#J0B
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

1.RJK0346DPA-01#J0B.pdf
2.RJK0346DPA-01#J0B.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-WPAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.8 mOhm @ 25A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

65W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-PowerWDFN
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7650pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

49nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 65A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

65A (Ta)

निम्नलिखित "RJK0346DPA-01#J0B" संबंधित उत्पाद हैं।

RJK03M3DPA-00#J5A

विवरण: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

निर्माता: Renesas Electronics America

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