RJK6012DPE-00#J3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

RJK6012DPE-00#J3
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

RJK6012DPE-00#J3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

4-LDPAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

920 mOhm @ 5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

100W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

SC-83
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1100pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

30nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V
विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 10A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A (Ta)

निम्नलिखित "RJK6012DPE-00#J3" संबंधित उत्पाद हैं।

RJK6015DPK-00#T0

विवरण: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P

निर्माता: Renesas Electronics America

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