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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RJU4351SDPE-00#J3
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.9V @ 10A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    430V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    4-LDPAK
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    25ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SC-83
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 430V 10A Surface Mount 4-LDPAK
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 430V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    10A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
RJU002N06T106

RJU002N06T106

विवरण: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

विवरण: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

विवरण: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

विवरण: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU003N03T106

RJU003N03T106

विवरण: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

विवरण: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

विवरण: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

विवरण: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

विवरण: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

निर्माता: Renesas Electronics America
स्टॉक में
RJU60C2SDPD-E0#J2

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

निर्माता: Renesas Electronics America
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