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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RMLV0816BGBG-4S2#KC0
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    45ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.4 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TFBGA (7.5x8.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFBGA
  • दुसरे नाम
    RMLV0816BGBG-4S2#KC0CT
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8Mb (512K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 45ns 48-TFBGA (7.5x8.5)
  • अभिगम समय
    45ns
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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP

निर्माता: Renesas Electronics America
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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

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विवरण: IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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विवरण: IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP

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