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339587BYT30PI-1000RG छविSTMicroelectronics

BYT30PI-1000RG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BYT30PI-1000RG
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.9V @ 30A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    1000V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DOP3I
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    165ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -40°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 1000V 30A Through Hole DOP3I
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    100µA @ 1000V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    30A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
ECQ-E2824KBB

ECQ-E2824KBB

विवरण: CAP FILM 0.82UF 10% 250VDC RAD

निर्माता: Panasonic
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