STB10N60M2

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STB10N60M2
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STB10N60M2.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±25V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK
शृंखला

MDmesh™ II Plus
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

600 mOhm @ 3A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

85W (Tc)
पैकेजिंग

Original-Reel®
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

497-14528-6
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

400pF @ 100V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

13.5nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V
विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.5A (Tc)
आधार भाग संख्या

STB10N60

निम्नलिखित "STB10N60M2" संबंधित उत्पाद हैं।

STB10LN80K5

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics

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