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3807579STD35NF06LT4 छविSTMicroelectronics

STD35NF06LT4

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STD35NF06LT4
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STD35NF06LT4.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±16V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DPAK
  • शृंखला
    STripFET™ II
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    17 mOhm @ 17.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    80W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    497-7965-2
    STD35NF06LT4-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1700pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    33nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 60V 35A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    35A (Tc)
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STD35NF06T4

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STD38NH02LT4

STD38NH02LT4

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निर्माता: STMicroelectronics
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STD3155L104T4G

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विवरण: MOSFET N-CH 60V DPAK

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STD37P3H6AG

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STD30NF06T4

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STD30NF06LT4

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

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STD30PF03L-1

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STD3LN80K5

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विवरण: N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,

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STD38NH02L-1

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विवरण: MOSFET

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STD30NF06

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

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STD36NH02L

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विवरण: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

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RFQ
STD35P6LLF6

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विवरण: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK

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RFQ
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