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5535665STD9N65M2 छविSTMicroelectronics

STD9N65M2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STD9N65M2
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STD9N65M2.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±25V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DPAK
  • शृंखला
    MDmesh™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    900 mOhm @ 2.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    60W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    497-15051-2
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    315pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    10nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    650V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 650V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5A (Tc)
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STD9NM60N

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STD9HN65M2

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STDLED524

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STD95N3LLH6

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STD95NH02LT4

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STD9N80K5

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK

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STD95N4F3

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विवरण: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

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STDLED623

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विवरण: MOSFET N-CH 620V 3A DPAK

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विवरण: MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK

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विवरण: MOSFET N-CH 400V 6A DPAK

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