STF24NM65N

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STF24NM65N
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STF24NM65N.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±25V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220FP
शृंखला

MDmesh™ II
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

190 mOhm @ 9.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

40W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3 Full Pack
दुसरे नाम

497-11394-5
STF24NM65N-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2500pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

70nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

650V
विस्तृत विवरण

N-Channel 650V 19A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

19A (Tc)

निम्नलिखित "STF24NM65N" संबंधित उत्पाद हैं।

STF26NM60N

विवरण: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

निर्माता: STMicroelectronics

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