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5078369STFU23N80K5 छविSTMicroelectronics

STFU23N80K5

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STFU23N80K5
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220FP
  • शृंखला
    MDmesh™ K5
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    280 mOhm @ 8A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    35W (Tc)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    42 Weeks
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1000pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    33nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    800V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 800V 16A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    16A (Tc)
C350C274F1G5TA

C350C274F1G5TA

विवरण: CAP CER RAD 270NF 100V C0G 1%

निर्माता: KEMET
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