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6461580STGF10NB60SD छविSTMicroelectronics

STGF10NB60SD

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STGF10NB60SD
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 23A 25W TO220FP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STGF10NB60SD.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    1.75V @ 15V, 10A
  • परीक्षण स्थिति
    480V, 10A, 1 kOhm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    700ns/1.2µs
  • स्विचिंग ऊर्जा
    600µJ (on), 5mJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220FP
  • शृंखला
    PowerMESH™
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    37ns
  • पावर - मैक्स
    25W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • दुसरे नाम
    497-16201-5
    STGF10NB60SD-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    38 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • गेट प्रभारी
    33nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT 600V 23A 25W Through Hole TO-220FP
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    80A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    23A
  • आधार भाग संख्या
    STG*10NB
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  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STGF10NC60SD

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विवरण: IGBT 600V 10A 25W TP220FP

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RFQ
STGF10NC60HD

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विवरण: IGBT 600V 9A 24W TO220FP

निर्माता: STMicroelectronics
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STGD8NC60KT4

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विवरण: IGBT 600V 15A 62W DPAK

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STGF10H60DF

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STGE50NB60HD

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STGF12NB60KD

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विवरण: IGBT 600V 14A 30W TO220FP

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STGE50NC60VD

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STGDL6NC60DT4

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विवरण: IGBT 600V 13A 50W DPAK

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STGF14NC60KD

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निर्माता: STMicroelectronics
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