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762912STL18NM60N छविSTMicroelectronics

STL18NM60N

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STL18NM60N
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STL18NM60N.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerFlat™ (8x8) HV
  • शृंखला
    MDmesh™ II
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    310 mOhm @ 6A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    3W (Ta), 110W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerVDFN
  • दुसरे नाम
    497-11847-1
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    42 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1000pF @ 50V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    35nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    2.1A (Ta), 12A (Tc)
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STL16N60M6

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विवरण: NCHANNEL 600V M6 POWER MOSFET

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विवरण: N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,

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STL18N65M2

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STL18N60M2

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