STL3NM60N

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STL3NM60N

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

STL3NM60N.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±25V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PowerFlat™ (3.3x3.3)

शृंखला

MDmesh™ II

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.8 Ohm @ 1A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2W (Ta), 22W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerVDFN

दुसरे नाम

497-13351-2

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

42 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

188pF @ 50V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

9.5nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V

विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

650mA (Ta), 2.2A (Tc)