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STL62P3LLH6

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STL62P3LLH6
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STL62P3LLH6.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 250µA (Min)
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerFlat™ (5x6)
  • शृंखला
    STripFET™ H6
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    10.5 mOhm @ 7A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    100W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerVDFN
  • दुसरे नाम
    497-15481-2
  • परिचालन तापमान
    175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    38 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3350pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    33nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 30V 62A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    62A (Tc)
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STL6P3LLH6

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