STP10P6F6

कोट अनुरोध करें

कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक फ़ील्ड को पूरा करें। "RFQ सबमिट करें" हम आपको ईमेल द्वारा शीघ्र ही संपर्क करेंगे।या हमें ईमेल करें:info@ftcelectronics.com

संदर्भ मूल्य (यूएस डॉलर में)~~~~

~~स्टॉक में~~

1+

$1.80

50+

$1.452

100+

$1.307

500+

$1.016

1000+

$0.842

जांच ऑनलाइन

मात्रा

लक्ष्य मूल्य (USD)

संपर्क नाम

कंपनी

ईमेल

फ़ोन

संदेश

विशेष विवरण

भाग संख्या

STP10P6F6

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P CH 60V 10A TO-220

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

1.STP10P6F6.pdf
2.STP10P6F6.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220

शृंखला

DeepGATE™, STripFET™ VI

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

160 mOhm @ 5A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

30W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-220-3

दुसरे नाम

497-13440

परिचालन तापमान

175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

38 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

340pF @ 48V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6.4nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V

विस्तृत विवरण

P-Channel 60V 10A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A (Tc)