STP190N55LF3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STP190N55LF3

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

STP190N55LF3.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±18V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220-3

शृंखला

STripFET™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3.7 mOhm @ 30A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

312W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-220-3

दुसरे नाम

497-8810-5
STP190N55LF3-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

38 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

6200pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

80nC @ 5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V

विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

120A (Tc)