STP4LN80K5

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STP4LN80K5

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

1.STP4LN80K5.pdf
2.STP4LN80K5.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 100µA

वीजीएस (मैक्स)

±30V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220

शृंखला

MDmesh™ K5

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.6 Ohm @ 1A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

60W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-220-3

दुसरे नाम

497-17294
STP4LN80K5-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

42 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

122pF @ 100V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

3.7nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

800V

विस्तृत विवरण

N-Channel 800V 3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3A (Tc)