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1510659STP6N90K5 छविSTMicroelectronics

STP6N90K5

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STP6N90K5
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
    1.STP6N90K5.pdf
    2.STP6N90K5.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220
  • शृंखला
    MDmesh™ K5
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    1.1 Ohm @ 3A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    110W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3
  • दुसरे नाम
    497-17074
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    42 Weeks
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    900V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 900V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    6A (Tc)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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