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EM 1C

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    EM 1C
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.05V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    1000V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    -
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Axial
  • दुसरे नाम
    EM 1C DK
    EM 1C-ND
    EM1C
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -40°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    20µA @ 1000V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
EM 1BV

EM 1BV

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EM 1CV

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विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

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EM 1YV1

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EM 1A

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EM 1AV

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

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विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

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EM 1

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