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1N5553US

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    1N5553US
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 5A
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1V @ 3A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    800V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    -
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    2µs
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    SQ-MELF
  • दुसरे नाम
    1N5553USS
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 800V 5A Surface Mount
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 800V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    5A
  • समाई @ वीआर, एफ
    92pF @ 5V, 1MHz
MTMM-105-15-T-D-650-004

MTMM-105-15-T-D-650-004

विवरण: 2MM TERMINAL STRIP

निर्माता: Samtec, Inc.
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