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SFF30

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SFF30
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 3KV 360MA AXIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    7V @ 175mA
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    3000V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Axial
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    50ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Axial
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 3000V 360mA Through Hole Axial
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 3000V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    360mA
  • समाई @ वीआर, एफ
    6.5pF @ 5V, 1MHz
SFF503GHC0G

SFF503GHC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 150V 5A ITO220AB

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SFF2008G C0G

SFF2008G C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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SFF2005G C0G

SFF2005G C0G

विवरण: DIODE GEN PURP 300V 20A ITO220AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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SFF501G C0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 50V 5A ITO220AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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SFF502GHC0G

SFF502GHC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 5A ITO220AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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SFF2008GHC0G

SFF2008GHC0G

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB

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SFF2007GHC0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 500V 20A ITO220AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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SFF505G C0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 300V 5A ITO220AB

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SFF2006G C0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB

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SFF502G C0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 5A ITO220AB

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SFF2004GHC0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 20A ITO220AB

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SFF2004G C0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 20A ITO220AB

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SFF504GHC0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 5A ITO220AB

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SFF2005GHC0G

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