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967345GL4100 छविSharp Microelectronics

GL4100

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GL4100
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वेवलेंथ
    950nm
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    1.2V
  • देखने का कोण
    180°
  • प्रकार
    Infrared (IR)
  • शृंखला
    -
  • उज्ज्वल तीव्रता (यानी) मिन @ हैं
    -
  • पैकेजिंग
    -
  • पैकेज / प्रकरण
    Radial
  • दुसरे नाम
    425-1024-5
  • अभिविन्यास
    Side View
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial
  • वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)
    50mA
GL41D/54

GL41D/54

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41B/54

GL41B/54

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41A/54

GL41A/54

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41B-E3/96

GL41B-E3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41G/54

GL41G/54

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41A-E3/96

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विवरण: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
GL41DHE3/97

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL4100E0000F

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विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
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