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SIT8009BIF81-XXE

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SIT8009BIF81-XXE
  • निर्माता / ब्रांड
    SiTime
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    SIT8009BIF81-XXE.pdf
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.25 V ~ 3.63 V
  • प्रकार
    XO (Standard)
  • फैलाओ स्पेक्ट्रम बैंडविड्थ
    -
  • आकार / आयाम
    0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
  • शृंखला
    SiT8009B
  • रेटिंग
    -
  • प्रोग्राम के प्रकार
    Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes)
  • पैकेज / प्रकरण
    4-SMD, No Lead
  • उत्पादन
    HCMOS, LVCMOS
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • ऊंचाई
    0.039" (1.00mm)
  • समारोह
    Enable/Disable
  • फ़्रीक्वेंसी स्थिरता (कुल)
    ±20ppm
  • आवृत्ति स्थिरता
    ±20ppm
  • विस्तृत विवरण
    XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • वर्तमान - आपूर्ति (मैक्स)
    7.5mA
  • वर्तमान - आपूर्ति (निष्क्रिय) (मैक्स)
    4.2mA
  • बेस रेज़ोनेटर
    MEMS
  • उपलब्ध आवृत्ति रेंज
    115MHz ~ 137MHz
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SIT8009BIN11-28N

SIT8009BIN11-28N

विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V SMD

निर्माता: SiTime
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SIT8009BIN11-30N

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V 20PPM

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SIT8009BIN21-25N

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V SMD

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SIT8009BIF81-30N

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V 20PPM

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SIT8009BIF81-XXS

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V STBY

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SIT8009BIF81-XXN

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD

निर्माता: SiTime
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SIT8009BIF81-30S

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V STBY

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SIT8009BIF81-33E

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SIT8009BIN21-18N

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SIT8009BIF81-33S

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V STBY

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SIT8009BIN11-18N

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V SMD

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SIT8009BIF81-28E

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS

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SIT8009BIF81-28N

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V SMD

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SIT8009BIF81-33N

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SIT8009BIF81-28S

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