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752359ES1JHM2G छविTSC (Taiwan Semiconductor)

ES1JHM2G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    ES1JHM2G
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    ES1JHM2G.pdf
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.7V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-214AC (SMA)
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    35ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-214AC, SMA
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 600V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    16pF @ 4V, 1MHz
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ES1JL RFG

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ES1JAF

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ES1J

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निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ES1JL RUG

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निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1JL R3G

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

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ES1JL RVG

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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ES1JL MHG

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

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ES1J M2G

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1JL RTG

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

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ES1JL RQG

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ES1J-LTP

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ES1JL MTG

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ES1JL MQG

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