ES3GB R5G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

ES3GB R5G

निर्माता / ब्रांड

Taiwan Semiconductor

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स्टॉक में

विवरण

DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

ES3GB R5G.pdf

वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.13V @ 3A

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

400V

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DO-214AA (SMB)

गति

Fast Recovery = 200mA (Io)

शृंखला

-

रिवर्स वसूली समय (trr)

35ns

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

DO-214AA, SMB

दुसरे नाम

ES3GB R5GTR
ES3GB R5GTR-ND
ES3GBR5GTR

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

20 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

डायोड प्रकार

Standard

विस्तृत विवरण

Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)

वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

10µA @ 400V

वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

3A

समाई @ वीआर, एफ

41pF @ 4V, 1MHz

निम्नलिखित "ES3GB R5G" संबंधित उत्पाद हैं।

ES3HB M4G

विवरण: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)

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