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KBP104G C2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    KBP104G C2
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    400V
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1V @ 1A
  • प्रौद्योगिकी
    Standard
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    KBP
  • शृंखला
    -
  • पैकेज / प्रकरण
    4-SIP, KBP
  • दुसरे नाम
    KBP104G C2-ND
    KBP104GC2
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Single Phase
  • विस्तृत विवरण
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole KBP
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
KBP10M-BP

KBP10M-BP

विवरण: DIODE BRIDGE 2A 1000V KBPR

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
KBP101G C2

KBP101G C2

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP107G C2

KBP107G C2

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP103G C2

KBP103G C2

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP107G C2G

KBP107G C2G

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP106G C2

KBP106G C2

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP10M

KBP10M

विवरण: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
KBP102G C2G

KBP102G C2G

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP08M-E4/45

KBP08M-E4/45

विवरण: DIODE 1.5A 800V KBPM

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
KBP104G C2G

KBP104G C2G

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP08ML-6747E4/51

KBP08ML-6747E4/51

विवरण: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
KBP105G C2G

KBP105G C2G

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP106G C2G

KBP106G C2G

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP08M-E4/51

KBP08M-E4/51

विवरण: DIODE 1.5A 800V KBPM

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
KBP105G C2

KBP105G C2

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP10G

KBP10G

विवरण: RECT BRIDGE GPP 1000V 1.5A KBP

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
KBP103G C2G

KBP103G C2G

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP101G C2G

KBP101G C2G

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
KBP08M-M4/51

KBP08M-M4/51

विवरण: RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
KBP102G C2

KBP102G C2

विवरण: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में

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